

更新時間:2026-05-27
瀏覽次數:104主要的半導體制造工藝包括光罩生產,作為印刷基底;晶圓制造,作為半導體的基礎;前期工藝,利用光罩在晶圓上形成細小電路結構;以及半導體芯片在電路形成后單獨封裝的后工藝。仔細觀察,這類步驟有數百個。
近年來的半導體微制造技術已達到數納米級(約為人發厚度的萬分之一),晶圓直徑變得更大,使得從單片晶圓中生產出包含數十億晶體管的數千個半導體芯片。
在如此高生產力的半導體制造過程中,檢測設備極為重要,能夠實現早期缺陷產品分選、降低成本以及提升質量和可靠性。 在選擇半導體目視檢測設備時,必須考慮晶圓直徑、所用工藝以及需要檢測的缺陷類型。
半導體目視檢測設備被用于半導體制造工藝的各個階段。
使用半導體目視檢測設備檢測到的缺陷包括光罩和晶圓的變形或裂紋、劃痕、異物粘附、前一工藝中電路圖案錯位、尺寸缺陷以及后期封裝缺陷等。
因此,必須為每個工藝選擇合適的半導體視覺檢測設備和軟件,并推動利用人工智能及其他工具實現自動化,以加快并減少勞動力。
半導體目視檢測設備由測量設備、處理測量數據的軟件以及用于適當測量的設備組成。
測量設備包括高分辨率相機、電子顯微鏡和激光測量設備。 處理測量數據的軟件會根據檢測流程開發算法。 為確保測量準確,還需要抑制振動設備和安裝燈具。 以下我們將解釋半導體目視檢測設備的核心成像技術、圖像處理技術和缺陷分類技術。
圖像成像技術
:成像技術是一種將激光光照射到晶圓上,并通過檢測散射光來測量缺陷的技術。 通過照亮微小的不均勻,它能檢測異物和損傷。
圖像處理技術
成像技術利用晶圓上所有芯片形成的圖案全部相同的事實,使相鄰圖案能夠進行比較以檢測缺陷。 它支持高速、廣域處理。
缺陷分類技術
缺陷分類技術是一種在檢測到缺陷后,對其進行分類和分類以提取原因的技術。 這些都是識別和解決缺陷原因的必要技術。
晶圓通過將半導體原料(如硅)成型為稱為錠的圓柱形單晶材料,切成約1毫米厚的塊,再拋光表面制成。近年來,晶圓直徑已達到12英寸(約30厘米)。
晶圓缺陷不僅包括附著的異物,還包括表面劃痕、裂紋、工藝不規則以及晶圓本身的晶體缺陷。晶圓制造過程中的目視檢查主要通過激光照射檢測這些缺陷。
預處理在晶圓狀態下進行,主要有兩種缺陷:隨機缺陷和系統缺陷。 隨機缺陷主要由異物污染引起,但由于它們是隨機的,其位置不可預測。 因此,晶圓上的隨機缺陷可以通過圖像處理被檢測出來。 另一方面,系統性缺陷由光掩膜或曝光過程條件引起,如顆粒附著在光罩上,且通常出現在晶圓上對齊的每個半導體芯片的相同位置。
在最終工藝中,晶圓被切割成每片芯片(切丁),儲存在樹脂或陶瓷封裝中,芯片與封裝側的端子連接(線鍵合)以密封。 后續工藝中,電氣檢查是主要重點,但目視檢查包括線粘缺陷和零件編號印刷缺陷。
通常,制造過程中的目視檢查通常旨在檢查污垢或劃痕,有時與產品功能或性能無關。然而,半導體制造中的污垢和劃痕不僅僅是表面問題;幾乎所有情況下,它們都會影響功能和性能。
半導體是電子器件,和其他電氣和電子設備一樣,會接受電氣檢測,但要檢查數十億個晶體管及其連接的所有線路極其困難;晶體管柵極和線路中的細線只能通過目視檢查確認。
在微觀層面的半導體工藝中,如幾納米,單根導線的厚度與相鄰導線之間的間距僅有幾納米。
如果這里的納米階存在缺陷,可能會導致線路短路或斷路。 此外,即使由于這種1/10尺寸缺陷,線寬達到設計厚度的90%,線路的電阻和電容也會發生變化。 當電流通過這些導線時,會發生電遷移,電子移動金屬原子,導線迅速變薄,短時間內導致斷裂。
因此,半導體制造對極其精細的目視檢測要求尤其高,隨著微制造技術的發展,精度要求將持續提高。
返回列表
產品分類
products category
掃一掃